SG30LE-440I Semiconductor Low Energy RO-Element

Produktdetails

SG30LE-440I Semiconductor-Umkehrosmose-Elemente wurden entwickelt, um die Anforderungen einer höheren Gesamtabstoßung, einer höheren Abstoßung von organischen Verbindungen mit niedrigerem Molekulargewicht und Siliciumdioxid und einem beschleunigten TOC-Spülenabspüfen zu erfüllen. Dieses Element mit hoher Oberfläche ermöglicht das Systemdesign mit weniger Elementen und einem niedrigeren angewandten Betriebsdruck, wodurch die Amortisation der Kapitalkosten optimiert wird und gleichzeitig die Betriebskosten senkt.

Typische Eigenschaften

1. Reinen Wasserfluss basierend auf den folgenden Bedingungen: 225 psi (1,55 MPa), 77 ° F (25 ° C) und 15% Erholung.

2. reiner Wasserfluss basierend auf den folgenden Bedingungen: 107 psi (0,74 MPa), 77 ° F (25 ° C) und 15% Erholung.

3. Die Durchflussraten für Individuums können variieren, aber nicht mehr als 15% unter dem angezeigten Wert.

4. Die Produktspezifikationen können leicht implementiert werden.

5. Typische stabilisierte Salzabstoßung (Cl-) für die Individuumung von 99,5% unter den Testbedingungen von 2.000 ppm NaCl, 225 psi (1,55 MPa) für SG30-400/34iand 150 psi (1,03 MPa) für SG30LE-440i, 77 ° F (25 ° C), PH 8 und 15% Reichweite. Bei niedrigeren TDs (<5 ppm) nahm Ionenablehnungen in Abhängigkeit von der Ionenfestigkeit, dem pH -Wert und der ionischen Spezies ab.